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LED光源在照明范畴发挥更大效果的途径讨论

作者:www.ag88.com时间:2018-09-04 19:52浏览:

  LED光源在照明范畴发挥更大效果的途径讨论

  半导体照明光源(这儿首要指的是LED光源)现现已批量进入照明范畴,但仍是呈现了不少问题,首要是能效、牢靠性、光色质量以及本钱等问题。有关能效和光色质量所触及的内容很丰厚,比方视觉舒适度、智能化调光操控等,在此咱们暂不描绘。本文将评论急需处理的首要技能问题,归结为三高一低,即高光效、高显色性、高牢靠和低本钱的技能问题,完成低本钱其实质上也是技能问题。处理这四大技能问题,需要在半导体照明产业链各个环节上采纳一系列办法,比方选用新技能、新结构、新工艺、新材料等,这儿只提及应该采纳的技能道路和方向,期望对LED企业的产品立异有所协助。

  一、怎么完成高光效

  半导体照明的光效,或者说能效,是节能作用的重要目标。现在LED器材光效产业化水平可达120~140lm/W,作成照明灯具总的能效可大于100lm/W。这仍是不高,节能作用不明显,离半导体器材光效理论值250lm/W还有很大间隔。真实要做到高光效,要从产业链各个环节上处理相关的技能问题,首要是进步内量子功率、外量子功率、封装出光功率和灯具功率,本文将针对外延、芯片,封装,凯发娱乐国际灯具等几个环节要处理的技能问题讨论。

  1. 进步内量子功率和外量子功率

  首要采纳以下几点办法来进步内量子功率和外量子功率。

  (1)衬底外表粗化及非极性衬底

  选用纳米级图型衬底、取向型图型衬底或非极性、半极性衬底成长GaN,削减位错和缺点密度及极性场影响,进步内量子功率[1]。

  (2)广义同质衬底

  选用HVPE(氢化物液相外延)在Al2O3蓝宝石衬底上成长GaN,作为混合同质衬底GaN/Al2O3,在此基础上外延成长GaN,可极大地降低位错密度达106~107cm-2,并较大地进步内量子功率。日亚、Cree及我国北大均在研制之中[2]。

  (3)改善量子阱结构

  操控In组分的改变方法和改变量、优化量子阱结构进步电子和空穴交叠几率,添加幅射复合几率以及调理非平衡载流子的输运等,ag88.com两百家招聘网站被查处关闭 安全管理措施无行业标准,进步内量子功率。

  (4)选用新结构的芯片

  选用新结构要求芯片六面出光,在芯片界面上选用新技能进行多种外表粗化方法,削减光子在芯片界面上反射几率,并添加外表透光率,以进步芯片的外量子功率。

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