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台积新晶圆制程技能加快完成3D IC环亚国际

作者:www.ag88.com时间:2018-09-20 21:11浏览:

  台积新晶圆制程技能加快完成3D IC

  台积电正多管齐下打造统筹效能与功耗的新代代处理器。为优化处理器功能并改进晶体管漏电流问题,农业农村部公布农产品质量安全执法监管十大案例环亚国际!台积电除携手硅智财业者,推进鳍式晶体管(FinFET)制程商用脚步外,亦方案从晶圆导线(Interconnect)和封装技能着手,加快完成三维芯片(3DIC);一起也将提前布局新一代半导体资料,更进一步进步晶体管传输速度。

  台积电先进组件科技暨TCAD部分总监Carlos H.Diaz说到,台积电亦已开端布局10奈米制程,正活跃开发相关微影技能。

  台积电先进组件科技暨技能型计算机辅助规划(TCAD)部分总监Carlos H.Diaz表明,因为举动处理器须兼具高效能、低功耗价值,且每一代产品更迭敏捷,因而晶圆厂已不能单纯从制程微缩的视点动身,有必要着眼晶圆制程相关的各个环节,方能满意IC规划业者需求。根据此一概念,台积电将同步改进晶体管、导线及封装结构,以进步芯片晶体管密度、传输速度,并下降漏电流。

  Diaz指出,台积电将一改曩昔花2年时刻跨入下一个制程代代的规划,2014年宣布20奈米(nm)方案后,将提前1年在2015年推出16奈米FinFET,以3D结构添加晶体管密度并削减漏电流景象。该公司正携手安谋世界(ARM)、Imagination推进FinFET试产,并赶紧研发水滋润式微影(Water Immersion Lithography)两层曝光(Double-patterning)技能,以及极紫外光(EUV)单曝光(Single Exposure),期提前跨过量产本钱门坎。

  Diaz也泄漏,就现在与Imagination的技能合作发展来看,预估2015年16奈米FinFET正式上市后,相较于现有28奈米处理器,内建GPU将到达十倍以上的每秒浮点运算次数(FLOPS),并将扩增四倍以上频宽,有助在更小的GPU单位面积下,激起更多运算效能。

  至于晶圆导线和封装结构部分,台积电也方案以2.5D/3DIC方案,战胜高密度芯片整合、散热和衔接功耗等问题。Diaz着重,平面式芯片已逐步面对效能、功耗改进的瓶颈,晶圆厂须取法3D晶体管概念,使用硅穿孔(TSV)等封装技能革新,达到芯片子体系仓库规划;一起还须针对晶圆后段导线制程(BEOL)导入新一代低介电常数(LowK)原料,以减缩金属导线互连的电阻电容推迟(RCDelay)。

  据悉,现在台积电已透过独家CoWoS2.5D制程,成功仓库逻辑芯片与WideI/O内存,未来终极目标系将手机内部一切芯片子体系交融在一起,完成超高整合度的晶圆体系层级规划。

  除了在硅晶圆上下功夫外,晶圆厂也须开发新的半导体资料。Diaz指出,跟着半导体制程加快演进,硅资料的物理极限已近在咫尺,驱动晶圆厂提前打开换料布局,包含三五族(III-V)、镍或锗等资料均是极具发展潜力的代替选项。为稳固晶圆代工商场龙头位置,台积电已在全球各个闻名大学、研讨机构建议下代代半导体资料研讨方案,藉以强化晶圆出产各段的技能能量。

  

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